日本ORC  臭氧發(fā)生器ARV-O3ME

兼容多種光刻技術(shù)：可兼容 WL-CSP、IGBT、CIS 等 6/8/12 英寸光刻技術(shù)，適用于多種半導(dǎo)體器件的制造。

寬頻譜光刻功能：具備寬帶曝光能力，可根據(jù)配方自動切換 GHI 線、I 線等光刻波長，通過與菜單連動，實(shí)現(xiàn) ghi - Line、gh - line、i - line 的自動切換，滿足不同光刻工藝對波長的要求。

可變 NA 功能：搭載可變 NA（數(shù)值孔徑）功能，能夠在 0.16 和 0.1 之間切換，可根據(jù)不同的光刻精度需求調(diào)整光學(xué)系統(tǒng)的分辨率。

高精度光刻：分辨率可達(dá) 2.0μmL/s（2.0μm 抗蝕劑厚度），疊加精度≦0.5 微米（|Ave| + 3σ），能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的半導(dǎo)體圖案光刻。

光罩設(shè)計(jì)格式多樣：支持多達(dá) 8 場光罩設(shè)計(jì)格式，為復(fù)雜的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)提供了更多的靈活性。

光學(xué)系統(tǒng)保護(hù)：光學(xué)元件能夠免受周圍環(huán)境中的阻滯氣體和化學(xué)物質(zhì)的影響，保證了光刻設(shè)備的穩(wěn)定性和光刻質(zhì)量。

日本ORC  臭氧發(fā)生模塊

ARV-M001D

ARV-M005D

ARV-M020D

ARV-M050D 

ARV-M100D/A 

ARV-M300D/A

ARV-M500A

ARV-M1000A